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厂商型号

NSVT3904DXV6T1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR NPN 40V

内部编号

277-NSVT3904DXV6T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:172000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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NSVT3904DXV6T1G产品详细规格

规格书 NSVT3904DXV6T1G datasheet 规格书
NST(V)3904DXV6T(1,5), SNST3904DXV6T5G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
晶体管类型 2 NPN (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 200A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 500mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-563, SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.2
最小直流电流增益 40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-563
最低工作温度 -55
最大功率耗散 500
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SOT-563
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 40
类型 NPN
引脚数 6
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 2 NPN (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 4,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-563
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 NST3904DXV6
品牌 ON Semiconductor
晶体管极性 NPN
RoHS RoHS Compliant

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